集成光电子芯片主要可分为硅基和非硅基两类衬底平台，硅基平台主要包括SOI, PLC, Si3N4，非硅基主要包括InP/三五半导体和LiNbO3。不同的芯片材料生产平台适用于不同的应用领域，例如在光通讯领域的波分复用器可使用硅基或三五半导体材料衬底的生产平台，而LiNbO3则适用于较高性能要求的电光效应的调制器。
SOI/Silicon-on-insulator: 与现有CMOS平台兼容，成本低，可适用于大规模生产
PLC/SiO2: 具有较低的光损耗和低生产成本
Si3N4: 可集成较高性能的电光效应调制器
InP/三五半导体：唯一可单片集成有源器件或放大器等的平台